Il s'agit d'une conférence bisannuelle, nouvellement mise en place. Elle réunissait à Tokoshima près de 500 participants dont 400 japonais.
250 présentations, dont 150 de laboratoires japonais.
i) Nichia a présenté un laser qui fonctionne depuis 3000h (il est prévu qu'il tienne 10000h, c'est dans 1 an). La grande innovation de ce laser est la croissance sur un substrat, élaboré par croissance latérale (lateral overgrowth, ELOG, cf ii). Emet à 403.7 nm. Autre innovation, l'adjonction de superréseaux AlGaN/GaN à dopage modulé (MD-SLS, modulation doped superlattice).
7 laboratoires ont réussi à obtenir un laser bleu.
CREE sur SiC (qui lui aussi mentionne l'ELOG), Fujitsu, Toshiba, l'Université de Californie, Xerox ... et Sony ! (Toutes les structures laser ont été élaborées par MOVPE).
ii) ELOG : Cela semble être la bonne méthode pour réduire les dislocations. Une dizaine de communications (dont celle du CRHEA) sur l'ELOG, qui est réalisé soit par MOVPE, soit par HVPE. Quelques communications sur la croissance de monocristaux (UNIPRESS, 1 cm2 par croissance en solution, IOFFE par sublimation). Cette méthode est aussi mise en oeuvre pour réaliser des objets quantiques.
iii) B. Monemar, dans une conférence invitée, traduisit le sentiment général que la qualité de GaN hétéroépitaxié restait médiocre (comparé à SiC) et que les propriétés physiques fondamentales, établies sur des couches contraintes, souffrent d'une assez grande imprécision.
iv) Les alliages InGaN et les QW suscitent beaucoup de controverses (quelque soit la méthode d'épitaxie). Difficile à élaborer, la composition (et la structure) de GaInN dépend de tous les paramètres de l'épitaxie, T, gaz vecteur, vitesse de croissance, nature du buffer, du substrat, (sur des substrats ELOG ou les qualités de GaInN sont nettement améliorées, 2 communications).
Toutes les hypothèses sont émises : fluctuation de composition, décomposition en 2 phases (3 communications sur les calculs, l'approche thermodynamique de la décomposition spinodale de GaN), formation de boîtes quantiques. Quant au mécanisme, responsable de l'émission laser dans les MQW, GaN fait l'objet d'après controverses. Emission à partir de boîtes quantiques, localisation des excitons par les fluctuations de composition et émission excitonique (expliquerait aussi le "Stokes Shift" (biexciton) et aussi e-h !. Rien ne semble définitivement admis en dépit des nombreuses approches théoriques.
v) GaN cubique. Obtenu en MBE et MOVPE. Une dizaine de communications. (L'émission stimulée par pompage optique sur une hétérostructure AlGaN (GaN MBE) cubique a été démontrée). Beaucoup d'intérêt dans les discussions informelles pour GaN cubique.
vi) MBE et MOVPE. Plusieurs communications sur la nitruration, la nucléation, le recuit. Par optimisation de ces paramètres, on arrive désormais à diminuer la densité de dislocations vers 108cm-3.
vii) De nombreuses communications sur des point de discussion actuels : bande à 2.41 eV, dopage p, contacts ohmiques, études Raman (contraintes), microcristaux, dépôt laser, EPR, PL résolue en temps, HVPE de GaInN, CL, réacteurs à parois chaudes, HRTEM, STEM, substrats alternatifs, effets piézoélectriques dans les jonctions AlGaN/GaN, SPA, 2DEG GaN/AlGaN, machines de croissance, nouveaux matériaux CN, GeN, BN, codopage, théorie du dopage et des défauts.
viii) Transistors (puissance, vitesse et températures élevées), AlN/GaN, AlGaN/GaN, photoconductivité persistante.
Pierre GIBART Director of Research Centre de Recherche sur l'Hétéroépitaxie et ses Applications (CRHEA) CNRS Sophia-Antipolis F-06560 Valbonne
last updated November 6, 1997 11:50:14 AM.
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