[1] U. K. Mishra, P. Parikh, Y. -F. Wu, Proc. IEEE 90, 1022-1031 (2002). [text citation]
[2] S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1998). [text citation]
[3] A. Balandin, Electron. Lett. 36, 912 (2000). [text citation]
[4] M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, R. Gaska, J. W. Yang, M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 73, 1089-1091 (1998). [text citation]
[5] J. Zou, D. Kotchetkov, A. A. Balandin, D. I. Florescu, F. H. Pollak, J. Appl. Phys. 92, 2534-2539 (2002). [text citation]
[6] D. Kotchetkov, J. Zou, A. A. Balandin, D. I. Florescu, F. H. Pollak, Appl. Phys. Lett. 79, 4316 (2001). [text citation]
[7] K.A. Filippov, A.A. Balandin, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 8, 4 (2003). [text citation]
[8] T. T. Mnatsakanov, M. E. Levinshtein, L. I. Pomortseva, S. N. Yurkov, G. S. Simin, M. A. Khan, Sol. St. Electr. 47, 111-115 (2003). [text citation]
[9] C. Canali, G. Majni, R. Minder, G. Ottaviani, IEEE Trans. Electr. Dev. ED22, 1045-1047 (1975). [text citation]
[10] M. Farahmand , IEEE Trans. Electr. Dev. 48, 535-542 (2001). [text citation]
[11] U. V. Bhapkar, M. S. Shur, J. Appl. Phys. 82, 1649-1655 (1997). [text citation]
[12] S. T. Allen, S. T. Sheppard, W. L. Pribble, R. A. Sadler, T. S. Alcorn, Z. Ring, J. W. Palmour, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 572, 15-22 (1999). [text citation]
[13] V. O. Turin, A. A. Balandin, Electron. Lett. 40, 81-83 (2004). [text citation]
© 2004 The Materials Research Society