[1] S Nakamura, M Senoh, S Nagahama, N Iwasa, T Yamada, T Matsushita, H Kiyoku, Y Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74-L76 (1996). [text citation]
[2] H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 28, 2112 (1989). [text citation]
[3] H. Teisseyere, P. Perlin, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski, J. Jun, A. Pietraszko, T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 76, 2429 (1994). [text citation]
[4] A Usui, H Sunakawa, A Sakai, AA Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L899 (1997). [text citation]
[5] S. T. Kim, Y. J. Lee, D. C. Moon, C. H. Hong, T. K. Yoo, J. Cryst. Growth 194, 37 (1998). [text citation]
[6] S. S. Park, Ii-W. Park, S. H. Choh, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L1141 (2000). [text citation]
[7] L. T. Romano, B. S. Krusor, R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 71, 2283 (1997). [text citation]
[8] SJ Rosner, EC Carr, MJ Ludowise, G Girolami, HI Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420-422 (1997). [text citation]
[9] M. S. Minsky, M. White, E. L. Hu , Appl. Phys. Lett. 68, 1531-1533 (1996). [text citation]
[10] C. Youtsey, L. T. Romano, I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 73, 797 (1998). [text citation]
[11] S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, T. Kozaki, M. Sano, H. Matsumura, H. Umemoto, K. Chocho, T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L647 (2000). [text citation]
© 2001-2004 The Materials Research Society