References

[1] Markus Weyers, Michio Sato , Appl. Phys. Lett. 62, 1396-1398 (1993). [text citation]

[2] Markus Weyers, Michio Sato, Hiroaki Ando, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L853 (1992). [text citation]

[3] M. Sato, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 285 (1996). [text citation]

[4] Masahiko Kondow, Kazuhisa Uomi, Kazuhiko Hosomi, Teruo Mozume, Jpn. J. Appl. Phys. 33, L1056 (1994). [text citation]

[5] WG Bi, CW Tu, Appl. Phys. Lett. 70, 1608-1610 (1997). [text citation]

[6] K. Uesugi, I. Suemune, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1572 (1997). [text citation]

[7] Shiro Sakai, Yoshihiro Ueta, Yoji Terauchi, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 4413 (1993). [text citation]

[8] Su-Huai Wei, Alex Zunger , Phys. Rev. Lett. 76, 664-667 (1996). [text citation]

[9] L. Bellaiche, S. -H. Wei, A. Zunger, Phys. Rev. B 54, 17568 (1996). [text citation]

[10] L. Bellaiche, S.-H. Wei, A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 70, 3558-3560 (1997). [text citation]

[11] L. Bellaiche, S. -H. Wei, A. Zunger, Phys. Rev. B 56, 10233 (1997). [text citation]

[12] M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 1273 (1996). [text citation]

[13] M. Kondow, T. Kitatani, S. Nakatsuka, M. C. Larson, K. Nakahara, Y. Yazawa, M. Okai, K. Uomi, IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 3, 719 (1997). [text citation]

[14] M. Kondow, Y. Kitani, K. Nakahara, T. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L1355 (1999). [text citation]

[15] T. Miyamoto, K. Takeuchi, F. Koyama, K. Iga, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 1448 (1997). [text citation]

[16] S. Sato, S. Satoh, Electron. Lett. 35, 1251 (1999). [text citation]

[17] B. Borchert, A. Yu Egorov, S. Illek, M. Komainda, H. Riechert, Electron. Lett. 35, 2204 (1999). [text citation]

[18] M. Fischer, M. Reinhardt, A. Forchel, Electron. Lett. 36, 1208 (2000). [text citation]

[19]S. R. Kurtz, D. Myers, J. M. Olson, "Projected performance of three- and four-junction devices using GaAs and GaInP", In Proc. of the 26^th IEEE Photovoltaics Spec. Conf. (IEEE, New York, 1997), p.875 [text citation]

[20] D. J. Friedman, J. F. Geisz, S. R. Kurtz, J. M. Olson, J. Cryst. Growth 195, 409 (1998). [text citation]

[21] S. R. Kurtz, A. A. Allerman, E. D. Jones, J. M. Gee, J. J. Banas, B. E. Hammons, Appl. Phys. Lett. 74, 729 (1999). [text citation]

[22] CT Foxon, TS Cheng, SV Novikov, et al., J. Cryst. Growth 150, 892-896 (1995). [text citation]

[23] R. Kuroiwa, H. Asahi, K. Asami, S. -J. Kim, K. Iwata, S. Gonda, Appl. Phys. Lett. 73, 2630 (1998). [text citation]

[24] G. Pozina, I. Ivanov, B. Monemar, J. V. Thordson, T. G. Andersson, J. Appl. Phys. 84, 3830 (1998). [text citation]

[25] K. Uesugi, N. Morooka, I. Suemune, Appl. Phys. Lett. 74, 1254 (1999). [text citation]

[26] S. Francoeur, G. Sivaraman, Y. Qiu, S. Nikishin, H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 72, 1857 (1998). [text citation]

[27] I. A. Buyanova, W. M. Chen, G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, H. P. Xin, C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 75, 501 (1999). [text citation]

[28] H. Gruning, L. Chen, Th. Hartmann, P. J. Klar, W. Heimbrodt, F. Höhnsdorf, J. Koch, W. Stolz, Phys. Stat. Sol. B 215, 39 (1999). [text citation]

[29] J. D. Perkins, A. Mascarenhas, Y. Zhang, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 3312 (1999). [text citation]

[30] W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999). [text citation]

[31] W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, S. R. Kurtz, J. Appl. Phys. 86, 2349 (1999). [text citation]

[32]W. Walukiewicz, W. Shan, J. W. Ager, D. R. Chamberlin, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, S. R. Kurtz, "Nitrogen-induced modification of the electronic structure of group III-N-V alloys", Proc. 195^th Meeting of the Electrochem Soc., Seattle, WA, May2-6, 1999; in"Photovoltaics for the 21^st Century", vol.99-11, p. 190 (1999) [text citation]

[33] E. D. Jones, N. A. Modine, A. A. Allerman, S. R. Kurtz, A. F. Wright, S. T. Torez, X. Wei, Phys. Rev. B 60, 4430 (1999). [text citation]

[34] E. D. Jones, N. A. Modine, A. A. Allerman, I. J. Fritz, S. R. Kurtz, A. F. Wright, S. T. Torez, X. Wei, Proc. SPIE 3621, 52 (1999). [text citation]

[35] E. D. Jones, A. A. Allerman, S. R. Kurtz, N. A. Modine, K. K. Bajaj, S. T. Torez, X. Wei, Phys. Rev. B 62, 7144 (2000). [text citation]

[36] H. P. Hjalmarson, P. Vogl, D. J. Wolford, J. D. Dow, Phys. Rev. Lett. 44, 810 (1980). [text citation]

[37]D. J. Wolford, J. A. Bradley, K. Fry, J. Thompson, "The nitrogen isoelectronic trap in GaAs", Proc. 17^th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, ed. By J. D. Chadi and W. A. Harrison (Springer-Verlag, New-York, 1984), p.627 [text citation]

[38] B. Gil, Sol. St. Comm. 114, 623 (2000). [text citation]

[39] A. Lindsay, E. P. O'Reilly, Sol. St. Comm. 112, 443 (1999). [text citation]

[40] A. Lindsay, E. P. O'Reilly, Phys. Stat. Sol. B 216, 131 (1999). [text citation]

[41]A. Lindsay, E.P.O'Reilly, "Theory of the electronic structure of Ga_1-yIn_yN_xAs_1-x", Proc. of 25^th ICPS, Sept.17-20, 2000, Osaka, Japan, in press [text citation]

[42] T. Mattila, S. -H. Wei, A. Zunger, Phys. Rev. B 60, R11245 (1999). [text citation]

[43] M. Kozhevnikov, V. Narayanamurti, C. V. Reddy, H. P. Xin, C. W. Tu, A. Mascarenhas, Y. Zhang, Phys. Rev. B 61, R7861 (2000). [text citation]

[44] H. M. Cheong, Y. Zhang, A. Mascarenhas, J. F. Geisz, Phys. Rev. B 61, 13687 (2000). [text citation]

[45] K. Uesugi, I. Suemune, T. Hasegawe, T. Akutagawa, Appl. Phys. Lett. 76, 1285 (2000). [text citation]

[46] A. Polimeni, M. Cappizzi, M. Geddo, M. Fischer, M. Reinhardt, A. Forchel, Appl. Phys. Lett. 77, n.18 (2000). [text citation]

[47] W. Shan, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, S. R. Kurtz, C. Nauka, Phys. Rev. B 62, 4211 (2000). [text citation]

[48] G. Leibiger, V. Gottschalch, B. Rheinländer, J. Sik, M. Schubert, Appl. Phys. Lett. 77, 1650 (2000). [text citation]

[49] P. N. Hai, W. M. Chen, I. A. Buyanova, H. P. Xin, C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 77, 1843 (2000). [text citation]

[50] C. Skierbiszewski, P. Perlin, P. Wisniewski, W. Knap, T. Suski, W. Walukiewicz, W. Shan, K. M. Yu, J. W. Ager, E. E. Haller, J. F. Geisz, J. M. Olson, Appl. Phys. Lett. 76, 2409 (2000). [text citation]

[51] Y. Zhang, A. Mascarenhas, H. P. Xin, C. W. Tu, Phys. Rev. B 61, 7479 (2000). [text citation]

[52] J. Wu, W. Shan, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager, E. E. Haller, H. P. Xin, C. W. Tu, unpublished (2001) . [text citation]

[53] C. Skierbiszewski, P. Perlin, P. Wisniewski, T. Suski, W. Walukiewicz, W. Shan, J. W. Ager, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, S. R. Kurtz, Phys. Stat. Sol. B 216, 135 (1999). [text citation]

[54] T. Kitani, M. Kondow, T. Kikawa, Y. Yazawa, M. Okai, K. Uomi, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 5003 (1999). [text citation]

[55] P. Krispin, S. G. Spruytte, J. S. Harris, K. H. Ploog, J. Appl. Phys. 88, 4153 (2000). [text citation]

[56] P. J. Klar, H. Grüning, W. Heimbrodt, J. Koch, W. Stolz, P. M. A. Vicente, A. M. Kamal Saadi, A. Lindsay, E. P. O'Reilly, Phys. Stat. Sol. B 223, 163 (2001). [text citation]

[57] B. Q. Sun, D. S. Jiang, X. D. Luo, Y. Z. Xu, Z. Pan, L. H. Li, R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 76, 2862 (2000). [text citation]

[58] I. A. Buyanova, G. Pozina, P. N. Hai, W. M. Chen, H. P. Xin, C. W. Tu, Phys. Rev. B 63, 033303 (2001). [text citation]

[59] Y. Zhang, A. Mascarenhas, H. P. Xin, C. W. Tu, Phys. Rev. B 61, 4433 (2000). [text citation]

[60] Z. Pan, Y. T. Wang, L. H. Li, H. Wang, Z. Wei, Z. Q. Zhou, Y. W. Lin, J. Appl. Phys. 86, 5302 (1999). [text citation]

[61] K. Uesugi, N. Morooka, I. Suemune, J. Cryst. Growth 201-202, 355 (1999). [text citation]

[62] C. Weisbuch , B. Vinter, Quantum Semiconductor Structures: Fundamentals and Applications (Academic Press, San Diego, 1991) . [text citation]

[63] H. P. Xin, C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 72, 2442 (1998). [text citation]

[64] Miyamoto, K. Takeuchi, T. Kageyama, F. Koyama, K. Iga, J. Cryst. Growth 197, 67 (1999). [text citation]

[65] M. Hetterich, M. D. Dawson, A. Yu. Egorov, D. Bernklau, H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 76, 1030 (2000). [text citation]

[66]I. A. Buyanova, W. M. Chen, G. Pozina, P. N. Hai, B. Monemar, H. P. Xin, C. W. Tu, "Optical properties of GaNAs/GaAs structures", Mater. Sci. Eng. B, in press (2001) [text citation]

[67] M. Queslati, M. Zouaghi, M. E. Pistol, L. Samuelson, H. G. Grimmeiss, M. Balkanski, Phys. Rev. B 32, 8220 (1985). [text citation]

[68] Y. Narukawa, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita, S. Nakamura, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997). [text citation]

[69] I. A. Buyanova, W. M. Chen, B. Monemar, H. P. Xin, C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 75, 3781 (1999). [text citation]

[70] I. A. Buyanova, G. Pozina, P. N. Hai, N. Q. Thinh, J. P. Bergman, W. M. Chen, H. P. Xin, C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 77, 2325 (2000). [text citation]

[71] X. Liu, M. E. Pistol, L. Samuelson, S. Schwetlick, W. Seifert, Appl. Phys. Lett. 56, 1451 (1990). [text citation]

[72] T. Makimoto, H. Saito, T. Nishida, N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 70, 2984 (1997). [text citation]

[73] S. Francoeur, S. A. Nikishin, C. Jin, Y. Qiu, H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 75, 1538 (1999). [text citation]

[74] P. J. Klar, H. Grüning, W. Heimbrodt, J. Koch, F. Höhnsdorf, W. Stolz, P. M. A. Vicente, J. Camassel, Appl. Phys. Lett. 76, 3439 (2000). [text citation]

[75] H. P. Xin, K. L. Kavanagh, Z. Q. Zhu, C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 74, 2337 (1999). [text citation]

[76] L. Grenouillet, C. Bru-Chevallier, G. Guillot, P. Gilet, P. Duvaut, S. Vannuffel, A. Millon, A. Chenevas-Paule, Appl. Phys. Lett. 76, 2241 (2000). [text citation]

[77] R. A. Mair, J. Y. Lin, H. X. Jiang, E. D. Jones, A. A. Allerman, S. R. Kurtz, Appl. Phys. Lett. 76, 188 (2000). [text citation]

[78] M. R. Gokhale, J. Wei, H. Wang, S. R. Forrst, Appl. Phys. Lett. 74, 1287 (1999). [text citation]

[79] A. Moto, S. Tanaka, N. Ikoma, T. Tanabe, S. Takagishi, M. Takahashi, T. Katsuyama, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 1015 (1999). [text citation]

[80] A Ougazzaden, YL Bellego, EVK Rao, M Juhel, L Leprince, G Patriarche, Appl. Phys. Lett. 70, 2861-2863 (1997). [text citation]

[81] Y Qiu, C Jin, S Francoeur, SA Nikishin, H Temkin, Appl. Phys. Lett. 72, 1999 (1998). [text citation]

[82] E. V. K. Rao, A. Ougazzaden, Y. Le Bellego, M. Juhel, Appl. Phys. Lett. 72, 1409 (1998). [text citation]

[83] H. P. Xin, C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 75, 1416 (1999). [text citation]

[84] Z. Pan, T. Miyamoto, D. Schlenker, F. Koyama, K. Iga, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 1012 (1999). [text citation]

[85] L. H. Li, Z. Pan, W. Zhang, Y. W. Lin, Z. Q. Zhou, R. H. Wu, J. Appl. Phys. 87, 245 (2000). [text citation]

[86] T. Kitatani, K. Nakahara, M. Kondow, K. Uomi, T. Tanaka, J. Cryst. Growth 209, 345 (2000). [text citation]

[87] N. Q. Thinh, I. A. Buyanova, P. N. Hai, W. M. Chen, H. P. Xin, C. W. Tu, Phys. Rev. B 63, 033203 (2001). [text citation]

[88] D. Kwon, R. J. Kaplar, S. A. Ringel, A. A. Allerman, S. R. Kurtz, E. D. Jones, Appl. Phys. Lett. 74, 2830 (1999). [text citation]

[89] A. Balcioglu, D. R. Ahrenkiel, D. J. Friedman, Appl. Phys. Lett. 76, 2397 (2000). [text citation]

top        main text        figures

© 2001 The Materials Research Society