[1] S. Nakamura, M. Senoh, T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1708 (1991). [text citation]
[2] W. Goetz, R. S. Kern, C. H. Chen, H. Liu, D. A. Steigerwald, R. M. Fletcher, Mater. Sci. Eng. B 59, 211 (1999). [text citation]
[3] J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, B. J. Pong, C. Y. Chen, C. N. Huang, W. C. Chen, J. Appl. Phys. 84, 4590 (1998). [text citation]
[4] P. Kozodoy, H. Xing, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, A. Saxler, R. Perrin, S. Elhamri, W. C. Mitchel, J. Appl. Phys. 87, 1832 (2000). [text citation]
[5] C. Blaauw, R. A. Bruce, C. J. Miner, A. J. Howards, B. Emmerstorfer, A. J. Springthorpe, J. Electron. Mater. 18, 567 (1989). [text citation]
[6] B. Beaumont, M. Vaille, P. Lorenzini, Pierre Gibart , T. Boufaden, B. el Jani, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 17 (1996). [text citation]
[7] S. Haffouz, B. Beaumont, M. Leroux, M. Laugt, P. Lorenzini, Pierre Gibart , L.G.Hubert-Pfalzgraf, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 37 (1997). [text citation]
[8] P. Vennegues, B. Beaumont, S. Haffouz, M. Vaille, P. Gibart, J. Cryst. Growth 187, 167 (1998). [text citation]
[9] C. C. Chang, W. H. Lec, T. J. Her, G. H. Lec, S. M. Peng, Y. Wang, J. Chem. Soc. Dalton Trans. 0, 315-322 (1994). [text citation]
[10] L. I. Zakharkin, Zh. Obshch. Khim. 34, 3125 (1964). [text citation]
© 2000 The Materials Research Society