Tables for MIJ-NSR Volume 5, Article 11

Tables

Table I

Boiling points for possible etch products of Group-III nitride films etched in halogen- or CH₄/H₂-based plasmas.

`Etch Products`	`Boiling Points (°C)`
`AlCl₃`	`183`
`AlF₃`	`na`
`AlI₃`	`360`
`AlBr₃`	`263`
`(CH₃)₃Al`	`126`
`GaCl₃`	`201`
`GaF₃`	`1000`
`GaI₃`	`sublimes 345`
`GaBr₃`	`279`
`(CH₃)₃Ga`	`55.7`
`InCl₃`	`600`
`InF₃`	`>1200`
`InI₃`	`na`
`InBr₃`	`sublimes`
`(CH₃)₃In`	`134`
`NCl₃`	`<71`
`NF₃`	`-129`
`NBr₃`	`na`
`NI₃`	`explodes`
`NH₃`	`-33`
`N₂`	`-196`
`(CH₃)₃N`	`-33`

Table II

Summary of etch rate results for GaN, AlN and InN with different plasma chemistries in different techniques.

`Gas` `Chemistry`	`Etching` `Technique`	`Etch rate (nm/min) at given bias`
			`GaN`	`ref`		`AlN`	`ref`		`InN`	`ref`
`SiCl₄ [w/Ar, SiF₄]`	`RIE`	`55`	`-400 V`	`[6]`	`-`	`-`		`-`	`-`
`BCl₃`	`RIE`	`105`	`-230 V`	`[6]`	`-`	`-`		`-`	`-`
`HBr [w/Ar, H₂]`	`RIE`	`60`	`-400 V`	`[6]`	`-`	`-`		`-`	`-`
`CHF₃, C₂ClF₅`	`RIE`	`45`	`500 W`	`[5]`	`-`	`-`		`-`	`-`
`SF₆`	`RIE`	`17`	`-400 V`	`[6]`	`-`	`-`		`-`	`-`
`CHF₃, C₂ClF₅`	`RIE`	`60`	`-500 V`	`[6]`	`-`	`-`		`-`	`-`
`BCl₃/Ar`	`ECR`	`30`	`-250 V`	`[5]`	`17`	`-250 V`	`[5]`	`17`	`-300 V`	`[5]`
`CCl₂F₂/Ar`	`ECR`	`20`	`-250 V`	`[5]`	`18`	`-300 V`	`[5]`	`18`	`-300 V`	`[5]`
`CH₄/H₂/Ar`	`ECR`	`40`	`-250 V`	`[5]`	`2.5`	`-300 V`	`[5]`	`10`	`-300 V`	`[5]`
`Cl₂/H₂/Ar`	`ECR`	`200`	`-180 V`	`[8]`	`110`	`-150 V`	`[8]`	`150`	`-180 V`	`[8]`
`SiCl₄/Ar`	`ECR`	`95`	`-280 V`	`[8]`	`-`	`-`		`-`	`-`
`Hl/H₂`	`ECR`	`110`	`-150 V`	`[5]`	`120`	`-150 V`	`[5]`	`100`	`-150 V`	`[7]`
`HBr/H₂`	`ECR`	`70`	`-150 V`	`[5]`	`65`	`-150 V`	`[5]`	`17`	`-150 V`	`[5]`
`ICl/Ar`	`ECR`	`1300`	`-275 V`	`[5]`	`200`	`-272 V`	`[5]`	`1150`	`-275 V`	`[5]`
`IBr/Ar`	`ECR`	`300`	`-170 V`	`[12]`	`160`	`-170 V`	`[5]`	`325`	`-170 V`	`[12]`
`BCl₃`	`M-RIE`	`350`	`<-100 V`	`[10]`	`125`	`<-100 V`	`[5]`	`100`	`<-100 V`	`[10]`
`Cl₂/H₂/Ar`	`ICP`	`688`	`-280 V`	`[8]`	`-`	`-`		`-`	`-`
`Cl₂/Ar`	`ICP`	`980`	`-450 V`	`[8]`	`670`	`-450 V`	`[8]`	`150`	`-100 V`	`[8]`
`Cl₂/N₂`	`ICP`	`65`	`-100 V`	`[8]`	`39`	`-100 V`	`[8]`	`30`	`-100 V`	`[8]`
`BBr₃`	`ICP`	`150`	`-380`	`[5]`	`50`	`-200`	`[5]`	`500`	`-380`	`[5]`
`BI₃`	`ICP`	`200`	`-175`	`[5]`	`100`	`-175`	`[5]`	`700`	`-240`	`[5]`
`Icl`	`ICP`	`30`	`-300`	`[5]`	`30`	`-300`	`[5]`	`600`	`-300`	`[5]`
`Ibr`	`ICP`	`20`	`-300`	`[5]`	`30`	`-300`	`[5]`	`600`	`-300`	`[5]`
`Ar ion`	`Ion milling`	`110`	`500 eV`	`[5]`	`29`	`500 eV`	`[5]`	`61`	`500 eV`	`[5]`
`Cl₂ [Ar ion]`	`CAIBE`	`210`	`500 eV`	`[6]`	`62`	`500 eV`	`[6]`	`-`	`-`
`HCl[Ar ion]`	`CAIBE`	`190`	`500 eV`	`[6]`	`-`	`-`		`-`	`-`
`Cl₂`	`RIBE`	`150`	`500 eV`	`[5]`	`-`	`-`		`-`	`-`
`HCl`	`RIBE`	`130`	`500 eV`	`[5]`	`-`	`-`		`-`	`-`
`Cl₂/Ar`	`RIBE`	`50`	`-400`	`[5]`	`50`	`-400`	`[5]`	`80`	`-400`	`[5]`
`HCl`	`Photoassisted`	`0.04Å/pulse`	`[6]`	`-`	`-`		`-`	`-`
`H₂, Cl₂`	`LE4`	`50-70`	`1-15 eV`	`[9]`	`-`	`-`		`-`	`-`

top        main text        figures        endnotes

last updated Wednesday, November 22, 2000 3:02:50 PM.