[1] W. E. Carlos , J. A. Freitas, Jr., M. Asif Khan, D. T. Olson, J. N. Kuznia , Phys. Rev. B 48, 17878-17884 (1993). [text citation]
[2] H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns , J. Appl. Phys. 76, 1363-1398 (1994). [text citation]
[3] M. Ilegems, H. C. Montgomery, J. Phys. Chem. Sol. 34, 885 (1973). [text citation]
[4] H. P. Maruska, J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett. 15, 327 (1969). [text citation]
[5] W. Seifert, R. Franzheld, E. Butter, H. Subotta, V. Riede, Cryst. Res. and Tech. 18, 383 (1983). [text citation]
[6] W. Gotz, N. M. Johnson , C. Chen, H. Liu, C. Kuo, W. Imler , Appl. Phys. Lett. 68, 3144-3146 (1996). [text citation]
[7] DK Gaskill, AE Wickenden, K Doverspike, B Tadayon, LB Rowland, J. Electron. Mater. 24, 1525-1530 (1995). [text citation]
[8] W. Gotz, N. M. Johnson, D. P. Bour, M. D. McCluskey, E. E. Haller, Appl. Phys. Lett. 69, 3725 (1996). [text citation]
[9] Shuji Nakamura, Naruhito Iwasa, Masayuki Senoh, Takashi Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258-1266 (1992). [text citation]
[10] M. E. Lin, G. Xue, G. L. Zhou, J. E. Greene, H. Morkoc , Appl. Phys. Lett. 63, 932-933 (1993). [text citation]
[11] K. Pakula, Jacek M. Baranowski , M. Leszczynski, B. Suchanek, M. Wojdak, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 23 (1998). [text citation]
[12] R. Dwilinski, J. M. Baranowski, M. Kaminska, R. Doradzinski, J. Garczynski, L. Sierzputowski, Acta Phys. Pol. A 90, 763 (1996). [text citation]
[13] E. R. Glaser, T. A. Kennedy, K. Doverspike, L. B. Rowland, D. K. Gaskill , J. A. Freitas, Jr., M. Asif Khan, D. T. Olson, J. N. Kuznia , D. K. Wickenden , Phys. Rev. B 51, 13326-13336 (1995). [text citation]
[14] M. Kunzer, U. Kaufmann, K. Maier, J. Schneider, N. Herres, I. Akasaki, H. Amano, Sci. Forum 143/147, 87 (1994). [text citation]
© 1998 The Materials Research Society