[1]Proceedings of The Second International Conference on Nitride Semiconductors, October 27-31, 1997, Tokushima, Japan [text citation]
[2] R. N. Kyutt, T. S. Argunova, Nuov. Cim. D 19, 267-275 (1997). [text citation]
[3] M. Leszczynski, T. Suski, P. Perlin, M. Teisseyre, J. Grzegory, M. Bockowski, Yun, S. Porowski, J. Major, J. Phys. D 28, A149-A153 (1995). [text citation]
[4] R. N. Kyutt, L. M. Sorokin, T. S. Argunova, S. S. Ruvimov, Phys. Solid State 36, 1473 (1994). [text citation]
[5] C. Kisielowski, J. Krüger, S. Ruvimov, T. Suski, J. W. Ager, E. Jones, Z. Lilienthal-Weber, M. Rubin, M. D. Bremser, R. F. Davis, Phys. Rev. B 54, 17745 (1996). [text citation]